科研人员在测量6英寸碳化硅单晶衬底的尺寸（12月9日摄）。　

中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展示6英寸碳化硅单晶衬底（12月17日摄）。 新华社记者 金立旺 摄

　　近日，中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，成功研制出了6英寸碳化硅（SiC）单晶衬底。据悉，碳化硅属于第三代半导体材料，是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。